时间: 2024-11-21 06:52:09 | 作者: P系列溶剂
对CdTe吸收层的背外表p型掺杂和钝化是提高CdTe薄膜太阳电池的关键步骤。近年来,不同的Cu掺杂前驱体(Cu(I)和Cu(Ⅱ)资料)和钝化资料(含Se,Cl,Al资料)被研讨。但是,鲜有研讨者提出新的兼具掺杂和钝化功用的反面使用资料。
鉴于此,2024年5月30日四川大学教授等人(2021级博士生王永华为榜首作者)于Nano Energy刊发兼具p型掺杂和Se钝化功用潜力的CuSe作为CdTe吸收层掺杂前驱体。选用与当时工业生产前端工艺相兼容的反溶剂堆积工艺,在CdTe吸收层反面均匀堆积了纳米CuSe颗粒。
研讨成果为,CuSe处理的CdTe薄膜太阳电池最优器材开路电压到达842.5mV,远高于CuCl2处理的CdTe器材(791.4mV)。J-V测验,Mott-Schottky测验和阻抗谱测验成果外表,CuSe处理的CdTe薄膜太阳电池器材不只到达了p型掺杂的意图,一起获得了Se的钝化功用。兼具掺杂和钝化的前驱体资料挑选战略,对高效率CdTe薄膜太阳电池的研讨供给了新颖的研讨思路。
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