上海盛剑微电子请求氧化铝蚀刻液及其制备办法专利在有用移除氧化铝阻挡层的一起简直不会腐蚀下方氮及所触摸介质层

时间: 2024-12-31 06:34:38 |   作者: 氟表面活性剂

  金融界2024年12月7日音讯，国家知识产权局信息数据显现，上海盛剑微电子有限公司请求一项名为“氧化铝蚀刻液及其制备办法、使用”的专利，公开号 CN 119081701 A，请求日期为2024年8月。

  专利摘要显现，本发明供给了一种氧化铝蚀刻液及其制备办法、使用，触及蚀刻液的技能领域，该氧化铝蚀刻液包含按质量百分比计的以下组分磷酸胺类蚀刻剂0 50％25 00％pH缓冲剂

  0.50％‑15.00％、表面活性剂0.01％‑10.00％以及巯基醇类缓蚀剂0.10％‑10.00％，余量为水。本发明处理了现存技能中含氟蚀刻剂在刻蚀氧化铝的一起会严峻腐蚀非金属low‑k资料的技能问题，达到了在有用移除氧化铝阻挡层的一起简直不会腐蚀下方氮化铝及所触摸介质层的技能作用，操作窗口大，在半导体晶片湿法刻蚀领域中的使用远景较好。